Главная

О предприятии

Горячая линия

Производственные площади и оборудование

Система менеджмента качества

Закупки

Раскрытие информации

Объявления

Продукция

Диоды Шоттки

Диоды Шоттки 15В

Диоды Шоттки 20В

Диоды Шоттки 25В

Диоды Шоттки 30В

Диоды Шоттки 40В

Диоды Шоттки 45В

Диоды Шоттки 60В

Диоды Шоттки 100В

Диоды Шоттки 125В

Диоды Шоттки 150В

Диоды Шоттки 200В

Техническая информация

Ультрабыстрые диоды

ДМОП Транзисторы

Интегральные микросхемы

Диодные ограничители напряжения, LС и RС - фильтры

Контакты

«НИИМЭ и Микрон»

_____________________

   Обозначения и сокращения

 

- VB – пробивное напряжение диода при заданном уровне обратного тока;

- VRRM - повторяющееся пиковое обратное напряжение;

- VR - постоянное обратное напряжение;

- VF - постоянное прямое напряжение диода при заданном значении прямого тока;

- VESD - напряжение, характеризующее устойчивость диода к воздействию электростатического разряда;

- IR – ток утечки диода (обратный ток) при заданном обратном напряжении;

- IF - прямой ток;

- IF(AV) - cредний прямой ток диода;

- IFSM - не повторяющийся пиковый ударный прямой ток;

- IRRM – повторяющийся пиковый обратный ток;

- EAS – не повторяющаяся лавинная энергия;

- TJ – максимальная рабочая температура перехода;

- ESD – электростатический разряд;

- ESD  HBM - электростатический разряд по модели человеческого тела.

- DC - постоянный (ое) …

- mil – 1/1000 доля дюйма (1mil=25,4мкм). 

 

Основные характеристики диодов Шоттки.  

 

- Широкий диапазон рабочих токов и напряжений : IF(AV)=0,5÷60A; VRRM=15÷200В;

- Высокое значение прямого ударного тока – IFSM;

- Низкое прямое напряжение – VF;

- Малые значения обратных токов – IR;

- Низкая рассеиваемая мощность;

- Три класса диодов, отличающихся диапазоном рабочих температур:

а) высокотемпературные диоды Шоттки с супер-низким уровнем обратных токов;

б) стандартные диоды Шоттки;

в) низкотемпературные диоды Шоттки  с низким уровнем VF.  

 

Таблица №1.

Классификация ДШ

Диапазон основных параметров

IF(AV), (A) 

VRRM, (В)

VF, (В)

IR, (mА)

 Высокотемпературные ДШ. 

 TJ.=175ºC.

1,0÷60,0

45÷250

0,66÷0,88

0,004÷0,013

 Cтандартные ДШ.

 TJ.=150ºC.

1,0÷30,0

20÷60

0,43÷0,68

0.040÷0,400

 Низкотемпературные ДШ.

 TJ.=125ºC.

0,5÷20,0

15÷40

0.30÷0,38

0.25÷10,0

 

 

-Высокие технические характеристики EAS и IRRM, характеризующие надежность прибора при воздействии стрессовых перегрузок в режиме  лавинного пробоя. 

-Высокая устойчивость к воздействию электростатических разрядов, соответствующая требованиям стандартов  JEDEC  и MIL-STD-883G  c уровнем VESD=+/-8kV (контакт) по модели человеческого тела  (С=100pF, R=1500ohm), а также требованиям к электронным компонентам для автомобильной электроники, устанавливаемым стандартом AEC-Q101-001.

-Электрические характеристики подтверждаются тестированием 100% кристаллов в нормальных условиях (ТА=25ºС) по основным параметрам: VB, IR, IRRM , а также выборочным тестированием кристаллов на каждой пластине по параметру VF при номинальном значении прямого тока IF(AV). 

Значение обратного тока при повы�?енной температуре тестируется на выборках кристаллов на 100% пластин.

Соответствие остальных параметров  требованиям спецификаций гарантируется конструкцией кристаллов.

После тестирования электрических параметров проводится контроль вне�?него вида с выбраковкой потенциально ненадежных кристаллов на 100% пластин.

ЗАО «ВЗПП-Микрон» производит и поставляет кристаллы диодов Шоттки в составе неразделенных пластин диаметром 100мм и 150мм. При этом потребителям предоставляется возможность выбора варианта исполнения кристалла в зависимости от используемого метода сборки прибора:

а) кристалл с  Al металлизацией лицевой стороны (анод) – для монтажа внутренних выводов методом ультразвуковой сварки;

б) кристалл с многослойной металлизацией анода Al-Ni-Ag- для монтажа в корпус методом пайки с применением PbSn припоев.

Металлизация катода -Ti-Ni-Ag  позволяет проводить монтаж кристалла  на кристаллодержатель методом пайки с применением PbSn припоев.

Потребителю также предоставляется возможность выбора подходящего ему размера кристалла, исходя из оптимального соотно�?ения цены и качества.  

 

Упаковка и хранение пластин с кристаллами ДШ.  

 

Пластины с кристаллами ДШ упаковываются в полипропиленовые футляры. Пластины укладываются в футляр через прокладки из не пылящего материала и через каждые 5 пластин прокладываются прокладками из поролона. В каждый футляр вкладывается упаковочный ярлык на котором указан тип ДШ, номер партии, количество пластин  и количество годных кристаллов, а также полный перечень пластин с указанием их номеров и количества годных на каждой пластине.

Каждый футляр помещается в полиэтиленовый пакет, из которого откачивается воздух . Далее пакет запаивается  и упакованные пластины хранятся в вакууме с целью сохранения высоких потребительских свойств в процессе транспортировки и при хранении в складских условиях в течение длительного времени.

Гарантийный срок хранения пластин без нару?ения вакуумной упаковки – один год. После вскрытия вакуумной упаковки пластины должны храниться в контролируемой атмосфере осу?енного азота и в течение не более 30 суток должны быть запущены в производство и пройти операцию герметизации (загерметизированы в корпус или залиты защитным слоем компаунда).

При нару?ении гарантийных сроков хранения пластины подлежат дополнительному тестированию для оценки возможности их использования в производстве с какими-либо доработками или без таковых. 

 

Указания по применению.  

 

1.  Вскрытие вакуумной упаковки и футляра с пластинами должно проводиться  в чистом рабочем помещении класса 100000 и вы�?е с параметрами микроклимата в рабочей зоне: Т=23+/-5ºС и влажности 45+/-5%.

2. Пластины ДШ утоняются методом ?лифовки до толщины 200-300мкм.  Поэтому они очень хрупкие и требуют к себе бережного и аккуратного обращения. С целью снижения вероятности боя пластин при перегрузке их из футляра в транспортные кассеты рекомендуется снять кры?ку и перевернуть футляр вверх дном на плоскую поверхность (на стол). Затем аккуратно поднять корпус футляра, освобождая при этом пластины вместе с поролоновыми и бумажными прокладками. Теперь можно с помощью вакуумного пинцета брать пластины и переносить их в транспортную кассету. После снятия кры?ки целесообразно положить на её место плоскую пластину из любого материала для исключения возможности выпадения пластин из футляра в процессе его перевертывания. Применение пинцетов с механическим захватом крайне не желательно в связи с высокой вероятностью появления  трещин и сколов.

3. Разделение пластин на кристаллы рекомендуется проводить методом дисковой резки алмазными дисками, обеспечивающими ?ирину реза 25-35мкм, с последующей промывкой в проточной деионизованной воде. Промывка должна обеспечивать полное удаление продуктов резки с поверхности кристаллов. 

4.  Монтаж кристаллов на кристаллодержатель рекомендуется проводить методом пайки с применением припоев или припойных паст на основе Pb/Sn  в защитной атмосфере водорода или формир-газа (N2+H2 с содержанием H2 не менее 5%). Также возможно применение метода вакуумной пайки. Максимальная температура в процессе пайки кристаллов ДШ высокотемпературной и стандартной серии не должна превы?ать 420 ºС , а для кристаллов низкотемпературной серии - 350 ºС. Время выдержки кристаллов при максимальной температуре  должно быть минимизировано для предотвращения изменения спецификационных параметров. Кристаллодержатель перед пайкой должен быть очищен от загрязнений и окисных пленок  химическим методом или отжигом в водородной среде. Аналогичные рекомендации распространяются и на процесс сборки кристаллов с серебряной металлизацией анода (лицевой стороны).

5. Для кристаллов с Al металлизацией лицевой стороны (анода) монтаж внутренних выводов должен проводиться методом ультразвуковой сварки алюминиевой проволокой диаметром 250-400мкм. Диаметр проволоки и количество проволок рекомендуется оптимизировать в зависимости от размеров металлизации анода и спецификационных требований к параметрам прибора (VF, IFSM). При этом необходимо учитывать, что увеличение количества проволок позволяет улуч?ить токораспределение по площади кристалла и за счет этого улуч?ить параметры VF, IFSM. Кроме того, увеличение количества проволок при умень?ении их диаметра позволяет снизить вероятность возникновения механических напряжений и микротрещин в месте сварки. При этом снижается вероятность повреждения и деградации барьера Шоттки. Повы?ается надежность прибора. Точки сварки должны быть равномерно распределены по площади анода. 

6.  Перед корпусированием сборка должна быть очищена от загрязнений и отожжена 2-3 часа при 150ºС для удаления влаги с поверхности кристалла. При корпусировании в не герметичный корпус кристалл рекомендуется покрыть силиконовым защитным слоем. Процесс покрытия проводить в атмосфере осу?енного азота.