_____________________

   Обозначения и сокращения

- V_B – пробивное напряжение диода при заданном уровне обратного тока;

- V_RRM - повторяющееся пиковое обратное напряжение;

- V_R - постоянное обратное напряжение;

- V_F - постоянное прямое напряжение диода при заданном значении прямого тока;

- V_ESD - напряжение, характеризующее устойчивость диода к воздействию электростатического разряда;

- I_R – ток утечки диода (обратный ток) при заданном обратном напряжении;

- I_F - прямой ток;

- I_F(AV) - cредний прямой ток диода;

- I_FSM - не повторяющийся пиковый ударный прямой ток;

- I_RRM – повторяющийся пиковый обратный ток;

- E_AS – не повторяющаяся лавинная энергия;

- T_J – максимальная рабочая температура перехода;

- ESD – электростатический разряд;

- ESD  HBM - электростатический разряд по модели человеческого тела.

- DC - постоянный (ое) …

- mil – 1/1000 доля дюйма (1mil=25,4мкм). 

Основные характеристики диодов Шоттки.  

- Широкий диапазон рабочих токов и напряжений : I_F(AV)=0,5÷60A; V_RRM=15÷200В;

- Высокое значение прямого ударного тока – I_FSM;

- Низкое прямое напряжение – V_F;

- Малые значения обратных токов – I_R;

- Низкая рассеиваемая мощность;

- Три класса диодов, отличающихся диапазоном рабочих температур:

а) высокотемпературные диоды Шоттки с супер-низким уровнем обратных токов;

б) стандартные диоды Шоттки;

в) низкотемпературные диоды Шоттки  с низким уровнем V_F.  

Таблица №1.

-Высокие технические характеристики E_AS и I_RRM, характеризующие надежность прибора при воздействии стрессовых перегрузок в режиме  лавинного пробоя. 

-Высокая устойчивость к воздействию электростатических разрядов, соответствующая требованиям стандартов  JEDEC  и MIL-STD-883G  c уровнем V_ESD=+/-8kV (контакт) по модели человеческого тела  (С=100pF, R=1500ohm), а также требованиям к электронным компонентам для автомобильной электроники, устанавливаемым стандартом AEC-Q101-001.

-Электрические характеристики подтверждаются тестированием 100% кристаллов в нормальных условиях (Т_А=25ºС) по основным параметрам: V_B, I_R, I_RRM , а также выборочным тестированием кристаллов на каждой пластине по параметру V_F при номинальном значении прямого тока I_F(AV). 

Значение обратного тока при повышенной температуре тестируется на выборках кристаллов на 100% пластин.

Соответствие остальных параметров  требованиям спецификаций гарантируется конструкцией кристаллов.

После тестирования электрических параметров проводится контроль внешнего вида с выбраковкой потенциально ненадежных кристаллов на 100% пластин.

ЗАО «ВЗПП-Микрон» производит и поставляет кристаллы диодов Шоттки в составе неразделенных пластин диаметром 100мм и 150мм. При этом потребителям предоставляется возможность выбора варианта исполнения кристалла в зависимости от используемого метода сборки прибора:

а) кристалл с  Al металлизацией лицевой стороны (анод) – для монтажа внутренних выводов методом ультразвуковой сварки;

б) кристалл с многослойной металлизацией анода Al-Ni-Ag- для монтажа в корпус методом пайки с применением PbSn припоев.

Металлизация катода -Ti-Ni-Ag  позволяет проводить монтаж кристалла  на кристаллодержатель методом пайки с применением PbSn припоев.

Потребителю также предоставляется возможность выбора подходящего ему размера кристалла, исходя из оптимального соотношения цены и качества.  

Упаковка и хранение пластин с кристаллами ДШ.  

Пластины с кристаллами ДШ упаковываются в полипропиленовые футляры. Пластины укладываются в футляр через прокладки из не пылящего материала и через каждые 5 пластин прокладываются прокладками из поролона. В каждый футляр вкладывается упаковочный ярлык на котором указан тип ДШ, номер партии, количество пластин  и количество годных кристаллов, а также полный перечень пластин с указанием их номеров и количества годных на каждой пластине.

Каждый футляр помещается в полиэтиленовый пакет, из которого откачивается воздух . Далее пакет запаивается  и упакованные пластины хранятся в вакууме с целью сохранения высоких потребительских свойств в процессе транспортировки и при хранении в складских условиях в течение длительного времени.

Гарантийный срок хранения пластин без нарушения вакуумной упаковки – один год. После вскрытия вакуумной упаковки пластины должны храниться в контролируемой атмосфере осушенного азота и в течение не более 30 суток должны быть запущены в производство и пройти операцию герметизации (загерметизированы в корпус или залиты защитным слоем компаунда).

При нарушении гарантийных сроков хранения пластины подлежат дополнительному тестированию для оценки возможности их использования в производстве с какими-либо доработками или без таковых. 

Указания по применению.  

1.  Вскрытие вакуумной упаковки и футляра с пластинами должно проводиться  в чистом рабочем помещении класса 100000 и выше с параметрами микроклимата в рабочей зоне: Т=23+/-5ºС и влажности 45+/-5%.

2. Пластины ДШ утоняются методом шлифовки до толщины 200-300мкм.  Поэтому они очень хрупкие и требуют к себе бережного и аккуратного обращения. С целью снижения вероятности боя пластин при перегрузке их из футляра в транспортные кассеты рекомендуется снять крышку и перевернуть футляр вверх дном на плоскую поверхность (на стол). Затем аккуратно поднять корпус футляра, освобождая при этом пластины вместе с поролоновыми и бумажными прокладками. Теперь можно с помощью вакуумного пинцета брать пластины и переносить их в транспортную кассету. После снятия крышки целесообразно положить на её место плоскую пластину из любого материала для исключения возможности выпадения пластин из футляра в процессе его перевертывания. Применение пинцетов с механическим захватом крайне не желательно в связи с высокой вероятностью появления  трещин и сколов.

3. Разделение пластин на кристаллы рекомендуется проводить методом дисковой резки алмазными дисками, обеспечивающими ширину реза 25-35мкм, с последующей промывкой в проточной деионизованной воде. Промывка должна обеспечивать полное удаление продуктов резки с поверхности кристаллов. 

4.  Монтаж кристаллов на кристаллодержатель рекомендуется проводить методом пайки с применением припоев или припойных паст на основе Pb/Sn  в защитной атмосфере водорода или формир-газа (N₂+H₂ с содержанием H₂ не менее 5%). Также возможно применение метода вакуумной пайки. Максимальная температура в процессе пайки кристаллов ДШ высокотемпературной и стандартной серии не должна превышать 420 ºС , а для кристаллов низкотемпературной серии - 350 ºС. Время выдержки кристаллов при максимальной температуре  должно быть минимизировано для предотвращения изменения спецификационных параметров. Кристаллодержатель перед пайкой должен быть очищен от загрязнений и окисных пленок  химическим методом или отжигом в водородной среде. Аналогичные рекомендации распространяются и на процесс сборки кристаллов с серебряной металлизацией анода (лицевой стороны).

5. Для кристаллов с Al металлизацией лицевой стороны (анода) монтаж внутренних выводов должен проводиться методом ультразвуковой сварки алюминиевой проволокой диаметром 250-400мкм. Диаметр проволоки и количество проволок рекомендуется оптимизировать в зависимости от размеров металлизации анода и спецификационных требований к параметрам прибора (V_F, I_FSM). При этом необходимо учитывать, что увеличение количества проволок позволяет улучшить токораспределение по площади кристалла и за счет этого улучшить параметры V_F, I_FSM. Кроме того, увеличение количества проволок при уменьшении их диаметра позволяет снизить вероятность возникновения механических напряжений и микротрещин в месте сварки. При этом снижается вероятность повреждения и деградации барьера Шоттки. Повышается надежность прибора. Точки сварки должны быть равномерно распределены по площади анода. 

6.  Перед корпусированием сборка должна быть очищена от загрязнений и отожжена 2-3 часа при 150ºС для удаления влаги с поверхности кристалла. При корпусировании в не герметичный корпус кристалл рекомендуется покрыть силиконовым защитным слоем. Процесс покрытия проводить в атмосфере осушенного азота.

АО «ВЗПП-Микрон»
Россия, 394007,
Воронеж,
Ленинский проспект, 119 "А"

ТЕЛ +7 473 2261424