Главная

О предприятии

Горячая линия

Производственные площади и оборудование

Система менеджмента качества

Раскрытие информации

Закупки

Объявления

Продукция

Диоды Шоттки

Ультрабыстрые диоды

ДМОП Транзисторы

Интегральные микросхемы

Диодные ограничители напряжения, LС и RС - фильтры

Контакты

«НИИМЭ и Микрон»

____________________

Полевые транзисторы

 

 

ЗАО «ВЗПП-Микрон» разрабатывает и производит кристаллы  мощных полевых транзисторов категории качества ВП, в том числе радиационно-стойких предназначенных для использования в высокочастотных импульсных источниках питания, системах преобразователей и инверторов для управления скоростью электродвигателей постоянного и переменного тока, высокочастотных генераторах для индукционного нагрева, ультразвуковх генераторах,  периферийных устройствах для компьютеров, оборудовании для телекоммуникаций и др. РЭА. Кристаллы ДМОП ПТ изготавливаются на кремниевых эпитаксиальных структурах по планарной технологии. 

 

 

Обозначения и сокращения


                          - V(ВR) DSS  - пробивное напряжение сток-исток

                          - RDS(ОП) - сопротивление сток-исток в открытом состоянии

                          - VGS(th) - пороговое напряжение

                          - IDSS - остаточный ток стока

                          - IGSS - ток утечки затвора

                          - VSD - прямое напряжение диода

                          - qfs - крутизна характеристики

                          - ID - максимальный постоянный ток стока

                          - I- максимальный  импульсный ток стока, А

                          - Tj - максимально  температура перехода, 0С



N-канальные полевые транзисторы


№ п/п

Наименование прибора 

Пробивное напряжение 

сток-исток

V(ВR) DSS, В

Сопротивление в открытом состоянии

RDS(ОП), Ом

Ток стока

ID, А

Коэффициент считывания

1

2П7146А-5

100

0,16

13

1300-1600

2

2П7146Б-5

200

0,4

8,5

1320-1630

3

2П7146В-5

250

0,45

8,0

1340-1650

4

2П7147А-5

100

0,077

25

2500-2900

5

2П7147Б-5

200

0,18

16

2550-2970

6

2П7147В-5

250

0,28

13

2580-3000

 

 

N-канальные полевые транзисторы с пониженным пороговым напряжением


№ п/п

Наименование прибора 

Пробивное напряжение 

сток-исток 

V(ВR) DSS, В 

Сопротивление в открытом состоянии 

RDS(ОП), Ом 

Ток стока

ID, А

1

2П769Г-5

100

0,27

8,5

2

2П767Е-5

200

0,18

16

           

На�?е предприятие имея богатый опыт разработки кристаллов вертикальных ДМОП ПТ  категории качества ВП может проводить полный цикл разработки и освоения в производстве мощных полевых транзисторов и ультрабыстрых диодов с параметрами, необходимыми конкретному потребителю.   

    

 

 

 

 

 

 

 

 


World Time
Beijing
1
Greenwich
1
Taipei
1
London
1
Moscow