____________________

Полевые транзисторы

ЗАО «ВЗПП-Микрон» разрабатывает и производит кристаллы  мощных полевых транзисторов категории качества ВП, в том числе радиационно-стойких предназначенных для использования в высокочастотных импульсных источниках питания, системах преобразователей и инверторов для управления скоростью электродвигателей постоянного и переменного тока, высокочастотных генераторах для индукционного нагрева, ультразвуковх генераторах,  периферийных устройствах для компьютеров, оборудовании для телекоммуникаций и др. РЭА. Кристаллы ДМОП ПТ изготавливаются на кремниевых эпитаксиальных структурах по планарной технологии. 

Обозначения и сокращения

                          - V_(ВR) DSS  - пробивное напряжение сток-исток

                          - R_DS(ОП) - сопротивление сток-исток в открытом состоянии

                          - V_GS(th) - пороговое напряжение

                          - I_DSS - остаточный ток стока

                          - I_GSS - ток утечки затвора

                          - V_SD - прямое напряжение диода

                          - qfs - крутизна характеристики

                          - I_D - максимальный постоянный ток стока

                          - I_Dм - максимальный  импульсный ток стока, А

                          - T_j - максимально  температура перехода, ⁰С

N-канальные полевые транзисторы

N-канальные полевые транзисторы с пониженным пороговым напряжением

№ п/п	Наименование прибора	Пробивное напряжение  сток-исток  V(ВR) DSS, В	Сопротивление в открытом состоянии  RDS(ОП), Ом	Ток стока ID, А
1	2П769Г-5	100	0,27	8,5
2	2П767Е-5	200	0,18	16

АО «ВЗПП-Микрон»
Россия, 394007,
Воронеж,
Ленинский проспект, 119 "А"

ТЕЛ +7 473 2261424