Главная

О предприятии

Горячая линия

Производственные площади и оборудование

Система менеджмента качества

Закупки

Раскрытие информации

Объявления

Продукция

Диоды Шоттки

Ультрабыстрые диоды

ДМОП Транзисторы

Интегральные микросхемы

Диодные ограничители напряжения, LС и RС - фильтры

Контакты

«НИИМЭ и Микрон»

____________________

Ультрабыстрые диоды   

 

ЗАО «ВЗПП-Микрон» разрабатывает и производит кристаллы ультрабыстрых диодов (УБД), предназначенные для использования  в производстве импульсных источников питания, конверторах, в схемах защиты батарей от переполюсовки и др. Кристаллы УБД изготавливаются на кремниевых эпитаксиальных структурах по планарной технологии.  


 

Наименование tr VF(AV),
В
IF(AV),
А
VRRM,
В
  2Д663 60 1.5 1 600
  2Д663S 40 2.0 1 600
  2Д640В 60 1.5 5 600
  2Д640ВS 40 2.0 5 600
  2Д641А 60 1.2 15 400
  2Д641Б 60 1.4 15 500
  2Д641В 60 1.4 15 600
  2Д641ВS 40 2.0 15 600
  2Д2142А 120 1.0 1 400
  2Д2144А 120 1.2 10 400
  2Д2143А 120 1.0 1 600
  2Д2145А 120 1.2 10 600
  КД0560UF 60 1.5 5 600
  КД0560SF 30 2.5 5 600
  КД0860UF 50 1.5 8 600
  КД0860SF 30 2.5 8 600
  КД1060UF 60 1.5 10 600
  КД1060SF 30 2.5 10 600
  КД1560UF 65 1.35 15 600
  КД1560SF 30 2.5 15 600
  КД2560UF 60 1.5 25 600
  КД2560SF 30 2.5 25 600

 

       

Обозначения и сокращения  

 

- VB (Uобр) - пробивное напряжение диода при заданном уровне обратного тока;

- VF  (Uпр) - постоянное прямое напряжение диода при заданном значении прямого тока;

- IR (Iобр) - ток утечки диода (обратный ток) при заданном обратном напряжении;

- IF(AV) (Iпр) - cредний прямой ток диода;

- trr (tвос.обр) - время обратного восстановления диода.


 

 

 

 

 

Основные характеристики ультрабыстрых диодов  

 

- Широкий диапазон рабочих токов и напряжений : IF(AV) = 1÷25A; VRRM = 400÷1200В;

- Низкое прямое напряжение – VF;

- Малые значения обратных токов – IR;

- Низкая рассеиваемая мощность;

- Электрические характеристики подтверждаются тестированием 100% кристаллов в нормальных условиях (ТА=25ºС) по основным параметрам: VB, IR, IRRM, а также выборочным тестированием кристаллов на каждой пластине по параметру VF при номинальном значении прямого тока IF(AV).

Значение обратного тока при повы�?енной температуре тестируется на выборках кристаллов на 100% пластин.

Соответствие остальных параметров  требованиям спецификаций гарантируется конструкцией кристаллов.

После тестирования электрических параметров проводится контроль вне�?него вида с выбраковкой потенциально ненадежных кристаллов на 100% пластин.

ЗАО «ВЗПП-Микрон» производит и поставляет кристаллы ультрабыстрых диодов. Металлизация катода -Ti-Ni-Ag  позволяет проводить монтаж кристалла  на кристаллодержатель методом пайки с применением PbSn припоев.

Потребителю также предоставляется возможность выбора подходящего ему размера кристалла, исходя из оптимального соотно�?ения цены и качества.

Возможна разработка УБД по требованиям заказчика с параметрами необходимыми для конкретного применения. 

 

 

 

 

 

 

 

 

 


World Time
Beijing
1
Greenwich
1
Taipei
1
London
1
Moscow