____________________

Ультрабыстрые диоды

ЗАО «ВЗПП-Микрон» разрабатывает и производит кристаллы ультрабыстрых диодов (УБД), предназначенные для использования в производстве импульсных источников питания, конверторах, в схемах защиты батарей от переполюсовки и др. Кристаллы УБД изготавливаются на кремниевых эпитаксиальных структурах по планарной технологии.

Наименование	t_r	V_F(AV), В	I_F(AV), А	V_RRM, В
2Д663	60	1.5	1	600
2Д663S	40	2.0	1	600
2Д640В	60	1.5	5	600
2Д640ВS	40	2.0	5	600
2Д641А	60	1.2	15	400
2Д641Б	60	1.4	15	500
2Д641В	60	1.4	15	600
2Д641ВS	40	2.0	15	600
2Д2142А	120	1.0	1	400
2Д2144А	120	1.2	10	400
2Д2143А	120	1.0	1	600
2Д2145А	120	1.2	10	600
КД0560UF	60	1.5	5	600
КД0560SF	30	2.5	5	600
КД0860UF	50	1.5	8	600
КД0860SF	30	2.5	8	600
КД1060UF	60	1.5	10	600
КД1060SF	30	2.5	10	600
КД1560UF	65	1.35	15	600
КД1560SF	30	2.5	15	600
КД2560UF	60	1.5	25	600
КД2560SF	30	2.5	25	600

Обозначения и сокращения

- V_B (U_обр) - пробивное напряжение диода при заданном уровне обратного тока;

- V_F(U_пр) - постоянное прямое напряжение диода при заданном значении прямого тока;

- I_R (I_обр) - ток утечки диода (обратный ток) при заданном обратном напряжении;

- I_F₍_AV) (I_пр) - cредний прямой ток диода;

- t_rr (t_{вос.обр}) - время обратного восстановления диода.

Основные характеристики ультрабыстрых диодов

- Широкий диапазон рабочих токов и напряжений : I_F(_AV)= 1÷25A; V_RRM= 400÷1200В;

- Низкое прямое напряжение – V_F;

- Малые значения обратных токов – I_R;

- Низкая рассеиваемая мощность;

- Электрические характеристики подтверждаются тестированием 100% кристаллов в нормальных условиях (Т_А=25ºС) по основным параметрам: V_B,I_R, I_RRM, а также выборочным тестированием кристаллов на каждой пластине по параметру V_F при номинальном значении прямого тока I_F₍_AV).

Значение обратного тока при повы�?енной температуре тестируется на выборках кристаллов на 100% пластин.

Соответствие остальных параметровтребованиям спецификаций гарантируется конструкцией кристаллов.

После тестирования электрических параметров проводится контроль вне�?него вида с выбраковкой потенциально ненадежных кристаллов на 100% пластин.

ЗАО «ВЗПП-Микрон» производит и поставляет кристаллы ультрабыстрых диодов. Металлизация катода -Ti-Ni-Ag позволяет проводить монтаж кристалла на кристаллодержатель методом пайки с применением PbSn припоев.

Потребителю также предоставляется возможность выбора подходящего ему размера кристалла, исходя из оптимального соотно�?ения цены и качества.

Возможна разработка УБД по требованиям заказчика с параметрами необходимыми для конкретного применения.

World Time

Beijing

Greenwich

Taipei

London

Moscow